The atomic structure of silicon and germanium surfaces

the underlying structure of language proficiency and the proficiency level

هدف از انجام این تخقیق بررسی رابطه احتمالی بین سطح مهارت زبان خارجی (foreign language proficiency) و ساختار مهارت زبان خارجی بود. تعداد 314 زبان آموز مونث و مذکر که عمدتا دانشجویان رشته های زبان انگلیسی در سطوح کارشناسی و کارشناسی ارشد بودند در این تحقیق شرکت کردند. از لحاظ سطح مهارت زبان خارجی شرکت کنندگان بسیار با هم متفاوت بودند، (75 نفر سطح پیشرفته، 113 نفر سطح متوسط، 126 سطح مقدماتی). کلا ...

Organometallic chemistry on silicon and germanium surfaces.

Low-Temperature Preparation of Oxygen- and Carbon-Free Silicon and Silicon-Germanium Surfaces for Silicon and Silicon-Germanium Epitaxial Growth by Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition

Photoluminescence (PL) from commensurately strained SiGe layers grown directly on silicon substrates and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) of buried Si/SiGe interfaces are used to evaluate different low-temperature cleaning methods of substrate surfaces for silicon and SiGe epitaxy in a nonultrahigh vacuum system. Both the sources of contamination as well as effective cleaning methods were...

the structure of lie derivations on c*-algebras

نشان می دهیم که هر اشتقاق لی روی یک c^*-جبر به شکل استاندارد است، یعنی می تواند به طور یکتا به مجموع یک اشتقاق لی و یک اثر مرکز مقدار تجزیه شود. کلمات کلیدی: اشتقاق، اشتقاق لی، c^*-جبر.

Germanium epitaxy on silicon

With the rapid development of on-chip optical interconnects and optical computing in the past decade, silicon-based integrated devices for monolithic and hybrid optoelectronic integration have attracted wide attention. Due to its narrow pseudo-direct gap behavior and compatibility with Si technology, epitaxial Ge-on-Si has become a significant material for optoelectronic device applications. In...